63-4635-04 [取扱停止]Nチャンネル パワーMOSFET 30 V 14 A 8 ピン パッケージSOIC IRF8714PBF

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特徴

  • NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon
  • InfineonのディスクリートHEXFET(R)パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。
  • さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
  • レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

  • 入数:1袋(10個入)
  • チャンネルタイプ:N
  • 最大連続ドレイン電流:14 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧:30V
  • 最大ドレイン-ソース間抵抗:9 mΩ
  • 最大ゲートしきい値電圧:2.35V
  • 最低ゲートしきい値電圧:1.35V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:-20V, +20V
  • パッケージタイプ:SOIC
  • 実装タイプ:表面実装
  • トランジスタ構成:シングル
  • チャンネルモード:エンハンスメント型
  • カテゴリー:パワーMOSFET
  • 最大パワー消費:2.5W
  • 標準ターンオフ遅延時間:11 ns
  • RoHS適合状況:適合
  • コード番号:495-681

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